前三星工程师称长鑫存储有意窃取DRAM工艺

一宗在韩国法院审理的刑事案件中，一位自称在三星工作28年的前工程师（姓全）作证称，中国最大的DRAM厂商长鑫存储在成立初期就打算通过获取三星的存储工艺知识产权来推进自家节点开发，而非从零开始自主研发。全某表示，这一策略是公司商业计划的一部分，管理层包括CEO和CTO据称有意通过窃取三星的工艺配方来加速技术取得。

全某于约2016年从三星跳槽至长鑫存储。今年4月，他因非法获取与三星DRAM制造工艺相关的约600步工艺配方（涉及约18nm级节点）被判处七年监禁。法庭证词称，长鑫存储成立时既没有完善的研发机构和设施，也没有意图完全依靠内部试验来开发这套工艺。

工艺配方并非一键可用的“万能钥匙”，但一份详尽的配方能显著缩短某一生产节点的开发周期。配方通常包含工序顺序、沉积和蚀刻条件、退火与清洗流程、离子注入参数、温度与压力设定以及所用设备类型等关键信息，这些内容能省去大量试错并指明工艺集成的方向。不过，要让配方按预期工作，还需配备相同或兼容的设备并对参数进行调整。 球友会

此外，工艺配方本身并不完整揭示器件的晶体管结构或物理设计细节。完整复刻一项新工艺通常还需掌握截面结构、掩模布局、设计规则、器件尺寸、电容结构及工艺窗口等信息，而这些更深层的设计细节往往要通过对已量产产品的逆向工程来获取。将窃得的配方与逆向分析结合，确实会大幅加快技术开发步伐，但仍需解决设备匹配和参数调校等实际难题。